7月18日消息，国家知识产权局信息显示，江苏宏微科技股份有限公司申请一项名为“芯片级封装体以及低热阻功率模块”的专利，授权公告号CN224521637U，授权公告日为2026年7月17日。申请号为CN202521209105.8，申请公布日期为2026年7月17日，申请日期为2025年6月13日，发明人林杰、刘帅帅、艾书博、张海泉、崔崧、赵善麒，专利代理机构南京中高专利代理有限公司，专利代理师金啸，分类号H10W40/22、H10W40/25、H10W95/00。

　　专利摘要显示，本实用新型属于电力电子模块技术领域，具体涉及一种芯片级封装体以及低热阻功率模块。本实用新型的芯片级封装体包括：金属底板和封装在金属底板内的芯片；所述金属底板包括：底部金属层，其连续的三个侧边设置有侧板；绝缘层，设置在底部金属层未设置侧板的侧边上；导体层，设置在绝缘层上；所述芯片固定在三个侧板合围的底部金属层上，且芯片的侧边与侧板之间设置有密封胶层。通过将芯片固定在三个侧板合围的底部金属层上，注塑成型后形成五个散热面（芯片顶面、底面和三个侧面），有利于芯片或芯片级封装体的散热。

　　作为国内功率半导体领域领先企业，宏微科技核心布局IGBT、FRED相关产品研发制造，具备全产业链技术优势。公司2006年8月18日注册成立，2021年9月1日登陆上海证券交易所，注册地与办公地均位于江苏省。

　　宏微科技主营业务为以IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售，所属申万行业为电子-半导体-分立器件，同时覆盖光伏、专精特新、核聚变等热门概念板块。

　　2025年宏微科技实现营业收入13.48亿元，在行业18家可比企业中排名第9，该赛道营收头部企业*ST闻泰、士兰微分别达312.53亿元、130.52亿元，行业平均营收为39.84亿元，行业中位数为13亿元。营收结构中模块(封装)贡献10.34亿元占比76.74%，单管(封装)贡献2.55亿元占比18.91%，受托加工业务、芯片、其他业务分别贡献2498.35万元、1952.86万元、1403.89万元，占比依次为1.85%、1.45%、1.04%。同年公司实现净利润1528.89万元，行业排名14/18，头部企业扬杰科技、捷捷微电净利润分别为12.45亿元、4.76亿元，行业平均净利润为-3.38亿元，行业中位数为5933.85万元。

• 指标类别
• 具体项目
• 数值
• 行业维度情况
• 营收表现2025年总营收13.48亿元行业排名9/18，头部企业*ST闻泰312.53亿元、士兰微130.52亿元，行业均值39.84亿元、中位数13亿元
• 营收构成模块(封装)营收10.34亿元占总营收比重76.74%
• 营收构成单管(封装)营收2.55亿元占总营收比重18.91%
• 营收构成受托加工业务营收2498.35万元占总营收比重1.85%
• 营收构成芯片营收1952.86万元占总营收比重1.45%
• 营收构成其他补充业务营收1403.89万元占总营收比重1.04%
• 盈利表现2025年净利润1528.89万元行业排名14/18，头部企业扬杰科技12.45亿元、捷捷微电4.76亿元，行业均值-3.38亿元、中位数5933.85万元

　　江苏宏微科技股份有限公司近期专利情况如下：

• 序号
• 专利名称
• 专利类型
• 法律状态
• 申请号
• 申请日期
• 公开(公告)号
• 公开(公告)日期
• 发明人
• 1功率器件栅极电阻结构、功率器件及功率模块的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610435572.52026-04-03CN122318221A2026-06-30井亚会、周昕、戚丽娜、高鹏、李想、曹安琪、崔崧、赵善麒
• 2沟槽栅SiC MOSFET及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610378472.32026-03-26CN122269742A2026-06-23韩小朋、张景超、戴天祥、马雨鑫、井亚会、戚丽娜、崔崧、赵善麒
• 3平面栅SiC MOSFET及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610378473.82026-03-26CN122269754A2026-06-23韩小朋、张景超、戴天祥、马雨鑫、井亚会、戚丽娜、崔崧、赵善麒
• 4基于多物理场耦合的功率器件寿命预测方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610357330.92026-03-23CN122242420A2026-06-19陈丰野、王群、吴云、王天赐、崔崧、赵善麒
• 5功率半导体模块（GCB-1C）外观专利授权CN202630045679.X2026-01-28CN310095725S2026-07-17周祥、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒
• 6IGBT器件及其制备方法发明专利公布CN202511904173.02025-12-17CN121692683A2026-03-17张永旺、井亚会、高鹏、戚丽娜、崔崧、赵善麒
• 7功率半导体模块外观专利授权CN202530700604.62025-11-27CN309993166S2026-05-22张潮、周祥、石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒
• 8高散热功率半导体模块及模块连接组件发明专利实质审查的生效、公布CN202511734929.12025-11-25CN121215634A2025-12-26陈超、张海泉、崔崧、赵善麒
• 9非对称单沟道平面SiC MOSFET器件及制备方法发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202511734931.92025-11-25CN121510617A2026-02-10崔崧、赵善麒、井亚会、张景超、戚丽娜、林茂、戴天祥
• 10分离栅IGBT结构及其栅极驱动电路发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202511478844.12025-10-16CN121335120A2026-01-13井亚会、赵善麒、戚丽娜、崔崧、胡爱斌
• 11SiC MOSFET器件及其制备方法发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202511435164.12025-10-09CN121368145A2026-01-20崔崧、赵善麒、井亚会、张景超、戚丽娜、林茂、戴天祥
• 12一种功率模块底板的曲面设计方法发明专利授权CN202511378033.42025-09-25CN120850622B2026-01-23周文科、郑军、张海泉、崔崧、赵善麒
• 13SiC沟槽栅MOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511366576.42025-09-24CN121194488A2025-12-23戴天祥、张景超、戚丽娜、崔崧、赵善麒
• 14具有高K介质埋层的氮化镓结型场效应晶体管器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511015501.12025-07-23CN120857555A2025-10-28刘毅、戚丽娜、崔崧、赵善麒
• 15高压快恢复二极管芯片及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510867630.72025-06-26CN120659342A2025-09-16林茂、黄郭铖、戚丽娜、崔崧、赵善麒
• 16功率模块实用新型授权CN202521284708.42025-06-23CN224368304U2026-06-16林杰、刘帅帅、张海泉、崔崧、赵善麒
• 17功率半导体模块外观专利授权CN202530339051.62025-06-13CN309784733S2026-02-10周祥、张潮、岳扬、张斌、张海泉、崔崧、赵善麒
• 18栅极开通、关断电阻独立控制的功率模块实用新型授权CN202521206897.32025-06-13CN224343169U2026-06-09李申祥、张敏、张海泉、崔崧、赵善麒
• 19芯片级封装体以及低热阻功率模块实用新型授权CN202521209105.82025-06-13CN224521637U2026-07-17林杰、刘帅帅、艾书博、张海泉、崔崧、赵善麒
• 20SiC MOSFET功率模块实用新型授权CN202521148578.12025-06-06CN224165048U2026-04-24於正新、刘帅帅、张海泉、崔崧、赵善麒
• 21可拆卸式功率模块烧结压头实用新型授权CN202521150628.X2025-06-06CN224178565U2026-04-28岳扬、张海泉、崔崧、赵善麒
• 22高耐压垂直型GaN基MOSFET器件发明专利专利申请权、专利权的转移、实质审查的生效、公布CN202510439355.92025-04-09CN120302688A2025-07-11刘毅、戚丽娜、崔崧、赵善麒
• 23一种半桥封装的单管结构及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510373732.32025-03-27CN120300088A2025-07-11井亚会、周昕、戚丽娜、崔崧、赵善麒
• 24栅极电阻调节结构及功率模块发明专利实质审查的生效、公布CN202510289589.X2025-03-12CN120148994A2025-06-13李申祥、张敏、张海泉、崔崧、赵善麒
• 25二合一功率半导体模块及动力系统实用新型授权CN202520321070.02025-02-26CN223942585U2026-02-24张有诚、张斌、李紫怡、张海泉、崔崧、赵善麒
• 26快恢复二极管芯片及其制备方法发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510073708.82025-01-17CN119947135A2025-05-06黄郭铖、林茂、戚丽娜、崔崧、赵善麒
• 27防硫化的功率模块发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510067300.X2025-01-16CN119650520A2025-03-18石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒
• 28防硫化的功率模块实用新型授权CN202520109221.62025-01-16CN223859674U2026-01-30石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒
• 29功率半导体模块外观专利授权CN202530021859.X2025-01-14CN309455955S2025-08-22张潮、周祥、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒
• 30一种抗辐照SiC功率MOSFET器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411951406.82024-12-27CN119730329A2025-03-28林茂、戚丽娜、张景超、赵善麒
• 31一种多芯片并联碳化硅功率模块实用新型授权CN202423266380.12024-12-27CN223993838U2026-03-13徐永哲、岳扬、张海泉、崔崧、赵善麒
• 32一种新型分体式压接Pin针结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411921373.22024-12-25CN119764894A2025-04-04周祥、周忠卫、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒
• 33一种新型分体式压接Pin针结构实用新型授权CN202423205726.72024-12-25CN223729048U2025-12-26周祥、周忠卫、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒
• 34一种改进HD-GIT结构的HEMT器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411910704.22024-12-24CN119866051A2025-04-22刘毅、崔崧、戚丽娜、赵善麒
• 35一种功率模块液冷散热结构实用新型授权CN202423155976.42024-12-20CN223786523U2026-01-09岳扬、张海泉、赵善麒
• 36一种功率器件高温反偏试验温度确定方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411767125.72024-12-04CN119716444A2025-03-28王群、吴云、王天赐、崔崧、赵善麒
• 37一种基于功率半导体应用防止散热材料溢出的结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411623029.52024-11-14CN119314959A2025-01-14陈超、张海泉、崔崧、刘毅、赵善麒
• 38功率半导体模块外观专利授权CN202430721701.92024-11-14CN309468123S2025-08-29周祥、张斌、张海泉、崔崧、赵善麒
• 39一种基于功率半导体应用防止散热材料溢出的结构实用新型授权CN202422773492.X2024-11-14CN223552530U2025-11-14陈超、张海泉、崔崧、刘毅、赵善麒
• 40一种适配于三电平功率模块动态测试的插接夹具实用新型授权CN202422603927.62024-10-28CN223551760U2025-11-14王天赐、吴云、王群、王鑫、崔崧、赵善麒
• 41一种功率模块及其设计方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411502153.62024-10-25CN119486240A2025-02-18林杰、刘帅帅、张海泉、赵善麒
• 42一种SiC功率MOSFET器件和制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411343366.92024-09-25CN119364816A2025-01-24张景超、戚丽娜、周昕、朱宁、崔崧、郑海峰、赵善麒
• 43一种SiC功率MOSFET器件实用新型授权CN202422343705.52024-09-25CN223379519U2025-09-23张景超、戚丽娜、周昕、朱宁、崔崧、郑海峰、赵善麒
• 44由半导体分立器件背面进行失效定位的方法发明专利公布CN202411072071.22024-08-06CN119001387A2024-11-22吴云、王群、王天赐、查林晨、徐楠、崔崧、赵善麒
• 45一种功率模块用的散热基板发明专利实质审查的生效、公布CN202410815656.22024-06-24CN118571851A2024-08-30石彩云、周祥
• 46超声键合端子及其制造方法与具有压接功能的功率模块发明专利实质审查的生效、公布CN202410753992.92024-06-12CN118588668A2024-09-03周祥、石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒
• 47一种超声键合端子及具有压接功能的功率模块实用新型授权CN202421332326.X2024-06-12CN222775318U2025-04-18周祥、石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒
• 48功率半导体模块（二）外观专利授权CN202430069202.62024-02-01CN308835654S2024-09-13周祥、石彩云、张海泉、麻长胜、赵善麒
• 49功率半导体模块（一）外观专利授权CN202430069154.02024-02-01CN308835653S2024-09-13周祥、石彩云、张海泉、麻长胜、赵善麒
• 50功率模块封装结构和电子设备实用新型授权CN202420196580.52024-01-26CN222637277U2025-03-18李申祥、周祥、曾旭阳、赵善麒